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產(chǎn)品說明:OptiMOS? 6 功率 MOSFET 正常電平 120 V,采用 TOLL 封裝
封裝:PG-HSOF-8產(chǎn)品說明:N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHSON-8-U02
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)。
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:N 通道 60 V 42A(Ta),445A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHSON-8-U02
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:N 通道 60 V 42A(Ta),445A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V 正常電平,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS? 功率 MOSFET 40 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
封裝:PG-WHTFN-9產(chǎn)品說明:600 V CoolMOS S7T功率MOSFET
封裝:PG-HDSOP-22產(chǎn)品說明:600 V CoolMOS S7T功率MOSFET
封裝:PG-HDSOP-22產(chǎn)品說明:OptiMOS功率MOSFET 150 V
封裝:PG-WHSON-8產(chǎn)品說明:OptiMOS功率MOSFET 150 V
封裝:PG-WHTFN-9電話咨詢:86-755-83294757
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