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功率 MOSFET IQDH45N04LM6CGSC 具有 0.45 mOhm 的低 RDS(on)，同時(shí)具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵基底面針對(duì)并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。

這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

產(chǎn)品屬性（IQDH45N04LM6CGSC）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-WHTFN-9

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 611 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 490 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V

Qg-柵極電荷: 62 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: OptiMOS

配置: Single

下降時(shí)間: 14 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 185 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時(shí)間: 6 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 49 ns

典型接通延遲時(shí)間: 9 ns

應(yīng)用領(lǐng)域（IQDH45N04LM6CGSC）

低壓驅(qū)動(dòng)

電動(dòng)工具

電信基礎(chǔ)設(shè)施

服務(wù)器電源

計(jì)算和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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