商品名稱：N-通道功率MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-WHSON-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IQD063N15NM5SC是一款150V/151A、6.32 m?的OptiMOS功率MOSFET。
產(chǎn)品屬性：
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：PG-WHSON-8
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：150 V
Id-連續(xù)漏極電流：151 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：6.32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4.6 V
Qg-柵極電荷：48 nC
工作溫度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：333 W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：OptiMOS
應(yīng)用：
低壓驅(qū)動
多軸飛行器
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
輕型電動車
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IPTC025N15NM6
IPTC025N15NM6：150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-HDSOP-16型號：IPTC025N15NM6封裝：PG-HDSOP-16類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管概述：IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技
IPT025N15NM6
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