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IPT026N12NM6這是一款采用 TO 無(wú)引線封裝的普通級(jí) 120 V MOSFET，導(dǎo)通電阻為 2.6 mOhm。

與 OptiMOS? 3 相比，該技術(shù)的特點(diǎn)是：RDS(on)最多可提高 58%，F(xiàn)OMg 最多可提高 66%，Qrr 最多可提高 90%，F(xiàn)OMoss 最多可提高 35%。IPT026N12NM6 屬于英飛凌 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列。

IPT026N12NM6特征

- N 溝道，正常電平

- 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)

- 出色的柵極電荷 x R 積（FOM） DS(on)

- 極低的反向恢復(fù)電荷 (Q )rr

- 雪崩能量等級(jí)高

- 175°C 工作溫度

- 針對(duì)高頻開(kāi)關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化

- 無(wú)鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

- 無(wú)鹵素，符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)

- 符合 J-STD-020 的 MSL 1 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)

IPT026N12NM6產(chǎn)品屬性

制造商： Infineon Technologies  

系列： OptiMOS? 6  

FET 類(lèi)型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 120 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 23A（Ta），224A（Tc）  

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 2.6 毫歐 @ 115A，10V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 3.6V @ 169μA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 88 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF @ 60 V  

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），283W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類(lèi)型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-HSOF-8-1  

封裝/外殼： 8-PowerSFN 

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。