商品名稱：N-通道功率MOSFET
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-WHTFN-9
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
IQD063N15NM5CGSC OptiMOS功率MOSFET具有6.32 mOhm的低RDS(on)，同時具有出色的散熱性能，便于功耗管理。
產(chǎn)品屬性：
產(chǎn)品種類：MOSFET
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：PG-WHTFN-9
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：150 V
Id-連續(xù)漏極電流：151 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：6.32 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4.6 V
Qg-柵極電荷：48 nC
工作溫度：- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散：333 W
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：OptiMOS
特征：
N通道，正常電平
極低的導(dǎo)通電阻RDS(on)
卓越的耐熱性
雙面冷卻的優(yōu)化設(shè)計
100%雪崩測試
無鉛鉛鍍層；通過無鉛認證
根據(jù)IEC61249 221標(biāo)準(zhǔn)，不含鹵素
非常低的反向恢復(fù)電荷(Q)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
IAUCN04S7N040D
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IAUCN04S7N024D
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IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
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IPTC025N15NM6：150V OptiMOS? 6 N-通道功率 MOSFET 晶體管，PG-HDSOP-16型號：IPTC025N15NM6封裝：PG-HDSOP-16類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管概述：IPTC025N15NM6 - 正常水平的 OptiMOS? 6 150 V 在競爭激烈的 150 V 市場中創(chuàng)造了新的性能水平。OptiMOS? 6 150 V 技
IPT025N15NM6
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