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參數(shù)描述
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單價(jià)
操作
產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊
封裝:9-SMPD-B產(chǎn)品說(shuō)明:N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊
封裝:SOT-227-4產(chǎn)品說(shuō)明:高壓IGBT 晶體管 2500 V 29 A 280 W 通孔 TO-247HV
封裝:TO-247HV-3產(chǎn)品說(shuō)明:中頻IGBT PT 600 V 500 A 1700 W 通孔 PLUS247?-3
封裝:PLUS247-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 晶體管 3000 V 130 A 625 W 通孔 TO-264AA
封裝:TO-264-3產(chǎn)品說(shuō)明:600V、160mΩ、18A X2 級(jí)功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管
封裝:ISOPLUS i4-PAC?產(chǎn)品說(shuō)明:500V P-溝道增強(qiáng)型 PolarP? MOSFET 晶體管
封裝:TO-252-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 晶體管 XPT IGBT Copack
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝道 1200V 138A 650W 通孔 TO-247(IXTH)
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 1200 V 240 A 1500 W 通孔 TO-264(IXYK)
封裝:TO-264-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝道 1200V 126A 650W 通孔 TO-247(IXTH)
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 1700 V 36 A 280 W 通孔 TO-247(IXYH)
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT PT 650 V 310 A 940 W 通孔 PLUS247?-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:用于 20-60 kHz 開關(guān)的極輕型擊穿式 IGBT 晶體管
封裝:TO-220-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT PT 1200 V 60 A 300 W 表面貼裝型 TO-263AA
封裝:TO-263產(chǎn)品說(shuō)明:用于高達(dá) 5 - 30kHz 開關(guān)的超輕沖程 IGBT 晶體管
封裝:TO-220-3電話咨詢:86-755-83294757
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