商品名稱:IXYH55N120C4H1
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
IXYH55N120C4H1 - 用于 20kHz - 50kHz 開關的 1200V、55A XPT? Gen4 IGBT 晶體管,帶聲波二極管高速 IGBT
產(chǎn)品描述
這些器件采用我們專有的 XPT? 薄晶片技術和最先進的溝槽式 IGBT 工藝開發(fā)而成,具有熱阻小、能量損耗低、開關速度快、尾電流低和電流密度高等特點。
特性和優(yōu)勢
針對低開關損耗進行了優(yōu)化
正 VCE(飽和)熱系數(shù)
國際標準封裝
高電流處理能力
高功率密度
低柵極驅動要求
反平行聲波二極管
應用
電源逆變器
不間斷電源
電機驅動器
SMPS
PFC 電路
電池充電器
焊接機
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領域,產(chǎn)品技術特點為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類型: 半橋模塊 半橋模塊 技術: SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點高速開關,低電容阻斷電壓高,RDS(導…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型: HiperFET HiperFET 技術: SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專有的XPT?薄晶圓技術和最先進的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟高效。 因此,這可減少相關的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對高電流應用進行了優(yōu)化,這類應用需要高達200 kHz的軟開關頻率和40 kHz的硬開關頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗的打穿(PT)技術,該技術可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結構和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因為飽和電壓和本征二極管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關- 穩(wěn)健設計- 雪崩額定值- 高性能動態(tài)快恢復二極管高性能動態(tài)快速恢復二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強了動態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話咨詢:86-755-83294757
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