IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點。
憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵極驅(qū)動電路、簡化設(shè)計并提升整體系統(tǒng)的可靠性。
功能:
XPT?薄晶圓技術(shù)
較低的通態(tài)電壓VCE(sat)
代加工快速恢復二極管
正溫度系數(shù)VCE(sat)
國際標準尺寸高壓封裝
應用
脈沖電路
激光和X射線發(fā)生器
高壓電源
高壓檢測設(shè)備
電容放電電路
AC開關(guān)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點高速開關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時間:1…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對高電流應用進行了優(yōu)化,這類應用需要高達200 kHz的軟開關(guān)頻率和40 kHz的硬開關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因為飽和電壓和本征二極管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計- 雪崩額定值- 高性能動態(tài)快恢復二極管高性能動態(tài)快速恢復二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強了動態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…IXTY2P50PA
IXTY2P50PA - 500V P-溝道增強型 PolarP? MOSFET 晶體管產(chǎn)品屬性技術(shù): 硅 安裝方式:SMD/SMT封裝/外殼:DPAK-3 (TO-252-3) 晶體管極性:P 溝道 通道數(shù):1 通道 Vds - 漏極-源極擊穿電壓:500 V Id - 漏極連續(xù)電流:2 A Rds On - 漏極-源極電阻:4.2 歐姆 Vgs - …電話咨詢:86-755-83294757
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