商品名稱:IGBT 晶體管
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-264-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。
BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。
功能與特色:
“自由”本征體二極管
高功率密度
高頻運(yùn)行
低傳導(dǎo)損耗
MOS柵極開(kāi)啟簡(jiǎn)單便捷
4000V電氣絕緣
應(yīng)用:
開(kāi)關(guān)模式和諧振模式電源
不間斷電源(UPS)
激光和X射線發(fā)生器
電容放電電路
高壓脈沖電路
高壓測(cè)試設(shè)備
AC開(kāi)關(guān)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點(diǎn)高速開(kāi)關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時(shí)間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點(diǎn)。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟(jì)高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進(jìn)行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對(duì)高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這類應(yīng)用需要高達(dá)200 kHz的軟開(kāi)關(guān)頻率和40 kHz的硬開(kāi)關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗(yàn)的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級(jí)功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開(kāi)關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計(jì)- 雪崩額定值- 高性能動(dòng)態(tài)快恢復(fù)二極管高性能動(dòng)態(tài)快速恢復(fù)二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強(qiáng)了動(dòng)態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…IXTY2P50PA
IXTY2P50PA - 500V P-溝道增強(qiáng)型 PolarP? MOSFET 晶體管產(chǎn)品屬性技術(shù): 硅 安裝方式:SMD/SMT封裝/外殼:DPAK-3 (TO-252-3) 晶體管極性:P 溝道 通道數(shù):1 通道 Vds - 漏極-源極擊穿電壓:500 V Id - 漏極連續(xù)電流:2 A Rds On - 漏極-源極電阻:4.2 歐姆 Vgs - …電話咨詢:86-755-83294757
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