商品名稱:IXTH24N50L
數(shù)據(jù)手冊:IXTH24N50L.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IXTH24N50L 是N通道增強(qiáng)模式功率MOSFET,設(shè)計(jì)用于線性操作,采用國際標(biāo)準(zhǔn)封裝。該線性功率MOSFET具有擴(kuò)展FBSOA,具有氮化鋁隔離的miniBLOC,高功率密度,節(jié)省空間且易于安裝的封裝,以及符合UL94 V-0可燃性分類的成型環(huán)氧樹脂。
該MOSFET可用于可編程負(fù)載,電流調(diào)節(jié)器,DC-DC轉(zhuǎn)換器,電池充電器,DC斬波器以及溫度和照明控制等應(yīng)用。
規(guī)格
FET類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源極電壓(Vdss):500 V
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):24 A (Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓:20V
不同 Id,Vgs時(shí)的 Rds On:300毫歐 @ 500mA、20V
不同Id時(shí)的Vgs(th):5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):160 nC @ 20 V
Vgs (最大值):±30V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):2500 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率:400W (Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247 (IXTH)
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號:IXTH24
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點(diǎn)高速開關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時(shí)間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點(diǎn)。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟(jì)高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進(jìn)行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這類應(yīng)用需要高達(dá)200 kHz的軟開關(guān)頻率和40 kHz的硬開關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗(yàn)的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計(jì)- 雪崩額定值- 高性能動(dòng)態(tài)快恢復(fù)二極管高性能動(dòng)態(tài)快速恢復(fù)二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強(qiáng)了動(dòng)態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話咨詢:86-755-83294757
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