商品名稱：N 溝道 MOSFET
品牌：ST
年份：24+
封裝：PowerFLAT-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
STL175N4LF8AG是一款 40 V N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技術(shù)設(shè)計，具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerFLAT -4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 167 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 34.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 111 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 3.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.5 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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HFA80A-F2Y
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STM32H523ZEJ6
概述：STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用144引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VET6
概述：STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523VEI6
概述：STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用100引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…
STM32H523RET6
概述：STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核，并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU)，運行頻率高達250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM，采用64引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器：ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格：32-位速度：…電話咨詢：86-755-83294757
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