STL170N4LF8是一款 40 V N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 STripFET F8 技術(shù)設(shè)計,具有增強(qiáng)型溝道柵極結(jié)構(gòu)。
它確保了極低導(dǎo)通電阻的先進(jìn)性能指標(biāo),同時降低了內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。
STL170N4LF8的屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PowerFLAT-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 167 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.2 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 34.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 111 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 3.5 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時間: 2.5 ns
工廠包裝數(shù)量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 26 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
應(yīng)用
? 工業(yè)工具、電機(jī)驅(qū)動和設(shè)備
? 工業(yè)電機(jī)控制
? 電源和轉(zhuǎn)換器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
HFA80A-F2Y
HFA80A-F2Y 是一款 D 類音頻放大器,采用 BCD9s 技術(shù),專為汽車應(yīng)用而設(shè)計。HFA80A-F2Y 集成了先進(jìn)的解決方案,具有出色的輻射噪聲抗擾度和 2 MHz 開關(guān) PWM D 類輸出級的優(yōu)勢。這種配置可實現(xiàn)出色的音頻性能,同時設(shè)計出結(jié)構(gòu)緊湊、成本低廉的應(yīng)用。HFA80A-F2Y 的規(guī)格類別…STM32H523ZET6
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概述:STM32H523ZEJ6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523ZEJ6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用144引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…STM32H523VET6
概述:STM32H523VET6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523VET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用100引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…STM32H523VEI6
概述:STM32H523VEI6微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523VEI6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用100引腳的UFBGA封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…STM32H523RET6
概述:STM32H523RET6 微控制器采用Arm Cortex-M33內(nèi)核,并搭載面向Armv8-M的TrustZone技術(shù)、DSP和浮點單元 (FPU),運(yùn)行頻率高達(dá)250 MHz。STM32H523RET6具有512KB的Flash存儲器、272 KB SRAM,采用64引腳的LQFP封裝。規(guī)格核心處理器:ARM Cortex-M33內(nèi)核規(guī)格:32-位速度:…電話咨詢:86-755-83294757
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