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產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
封裝:CCPAK1212i產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 60A(Tc) 300W(Tc) CCPAK1212
封裝:CCPAK1212產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
封裝:WLCSP-22產(chǎn)品說(shuō)明:氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A(Ta) 65W(Ta)VQFN
封裝:VQFN-7產(chǎn)品說(shuō)明:650V 170mΩ GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能
封裝:VQFN-38產(chǎn)品說(shuō)明:600V 30mΩ GaN FET,集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能
封裝:54-VQFN產(chǎn)品說(shuō)明:100V 4.4mΩ 半橋 GaN FET,帶集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能
封裝:WQFN-16產(chǎn)品說(shuō)明:2496–2690MHz,85W平均值,48V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝:OM?780?4S4S產(chǎn)品說(shuō)明:2110-2200MHz,85W平均值,48V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝:OM- 780- 4S4S產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 650 V 34.5A(Ta) 143W(Ta) TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:通孔 N 通道 650 V 47.2A 187W TO-247-3
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝:DFN8080-8產(chǎn)品說(shuō)明:650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝:DFN5060-5產(chǎn)品說(shuō)明:650 V、140 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 5 mm x 6 mm DFN 封裝
封裝:DFN5060-5產(chǎn)品說(shuō)明:150 V、7 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 2.2 mm x 3.2 mm x 0.774 mm 陸柵陣列 (LGA) 封裝
封裝:FCLGA-3產(chǎn)品說(shuō)明:650 V、190 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET,采用 DFN 8 mm x 8 mm 封裝
封裝:DFN8080-8電話咨詢:86-755-83294757
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