LMG3426R030RQZR GaN FET 集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能,面向開關(guān)模式功率轉(zhuǎn)換器,使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健?/span>
特點
通過 JEDEC JEP180 硬開關(guān)拓?fù)湔J(rèn)證
600V 硅基氮化鎵場效應(yīng)晶體管,帶集成柵極驅(qū)動器
集成高精度柵極偏置電壓
200V/ns FET 截止
2.2MHz 開關(guān)頻率
20V/ns 至 150V/ns 壓擺率,用于優(yōu)化開關(guān)性能和降低 EMI
工作電壓為 7.5V 至 18V
強大的保護(hù)功能
逐周期過流和鎖存短路保護(hù),響應(yīng)時間 < 100ns
硬開關(guān)時可承受 720V 浪涌
內(nèi)部過溫自我保護(hù)和 UVLO 監(jiān)控
先進(jìn)的電源管理
數(shù)字溫度 PWM 輸出
LMG3426R030 具有零電壓檢測 (ZVD) 功能,便于軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器使用
應(yīng)用
開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器
商用網(wǎng)絡(luò)和服務(wù)器 PSU
商用電信整流器
太陽能逆變器和工業(yè)電機驅(qū)動器
不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 650 V 58.5A(Tc) 250W(Tc) CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化鎵 (GaN) FET 表面貼裝型 N 通道 40 V 20A(Ta) 13W(Ta) 22-WLCSP(2.1x2.1)
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德州儀器(Texas Instruments),簡稱TI,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司,為現(xiàn)實世界的信號處理提供創(chuàng)新的數(shù)字信號處理(DSP)及模擬器件技術(shù)。除半導(dǎo)體業(yè)務(wù)外,還提供包括傳感與控制、教育產(chǎn)品和數(shù)字光源處理解決方案。TI總部位于美國德克薩斯州的達(dá)拉斯,并在25多個國家設(shè)有制造…
DP83TC811SWRNDRQ1
DP83TC811SWRNDRQ1低功耗汽車PHYTER 100BASE-T1以太網(wǎng)物理層收發(fā)器通過屏蔽單雙絞線提供傳輸和接收數(shù)據(jù)所需的物理層功能。該器件通過支持標(biāo)準(zhǔn)MII、RMII、RGMII和SGMII MAC接口實現(xiàn)xMII靈活性。配套診斷工具套件通過各種實時監(jiān)控工具集成調(diào)試工具和測試模式。該套件包含一…M0G3506QPTRQ1
M0G3506QPTRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺,工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…M0G3505QPTRQ1
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M0G3506QPMRQ1 微控制器(MCU)是 MSP 高集成度、超低功耗 32 位 MCU 系列的一部分,基于增強型 Arm Cortex-M0+ 32 位內(nèi)核平臺,工作頻率高達(dá) 80MHz。這些經(jīng)過成本優(yōu)化的 MCU 集成了高性能模擬外設(shè),支持 -40C 至 125C 的擴展溫度范圍,工作電壓范圍為 1.62V 至 3.6V。M0…M0G3505QPMRQ1
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