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GAN041-650WSBQ氮化鎵（GaN）FET具有650V漏源電壓、47.2A漏極額定電流以及41mΩ最大電阻。  GAN041采用TO-247封裝，是一款常關型器件，將高壓GaN HEMT H2技術和低壓硅MOSFET技術結合在一起。這些技術組合可以提供出色的可靠性和性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：GaNFET（共源共柵氮化鎵 FET）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：47.2A

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：41 毫歐 @ 32A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：22 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1500 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：187W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

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