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GAN140-650FBEZ 是一款通用型 650 V、140 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET，采用 5 mm x 6 mm DFN 表面貼裝封裝。它是一款常關型電子模式器件，具有卓越的性能。

產(chǎn)品屬性

制造商: Nexperia

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: GaN

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: DFN5060-5

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 17 A

Rds On-漏源導通電阻: 140 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 7 V, + 7 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V

Qg-柵極電荷: 3.5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 113 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 4 ns

濕度敏感性: Yes

上升時間: 5 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 4 ns

典型接通延遲時間: 3 ns

應用

高功率密度和高效率電源轉(zhuǎn)換

交流-直流轉(zhuǎn)換器、圖騰柱 PFC

直流-直流轉(zhuǎn)換器

快速電池充電、手機、筆記本電腦、平板電腦和 USB Type-C 充電器

數(shù)據(jù)通信和電信（AC-DC 和 DC-DC）轉(zhuǎn)換器

電機驅(qū)動器

太陽能（光伏）逆變器

D 類音頻放大器、電視 PSU 和 LED 驅(qū)動器

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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