商品名稱:DRAM 存儲器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-200
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
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AS4C512M32MD4V-046BIN 是 8Gb 512M x 32 位 DRAM LPDDR4X 內(nèi)存。
AS4C512M32MD4V-046BIN 的特點
雙數(shù)據(jù)速率架構(gòu);每個時鐘周期兩次數(shù)據(jù)傳輸
雙向數(shù)據(jù)選通(DQS_t、DQS_c),與數(shù)據(jù)一起發(fā)送/接收,用于接收器捕獲數(shù)據(jù)
差分時鐘輸入(CK_t 和 CK_c)
差分數(shù)據(jù)選通(DQS_t 和 DQS_c)
命令和地址輸入正 CK 邊沿;數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)掩碼參考 DQS 的兩個邊沿
每個通道有 8 個內(nèi)部組
DMI 引腳:正常寫入和讀取操作時為 DBI(數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn)),DBI 關(guān)閉時為屏蔽寫入的數(shù)據(jù)屏蔽 (DM) DBI 開啟時為屏蔽寫入的 DQ 計數(shù) #1
突發(fā)長度:16、32(OTF)
突發(fā)類型 順序
讀寫延遲 : 請參閱 LPDDR4x AC 時序表
每個突發(fā)訪問的自動預(yù)充電選項
可配置的驅(qū)動強度
刷新和自刷新模式
部分陣列自刷新和溫度補償自刷新
寫入均衡
CA 校準
內(nèi)部 VREF 和 VREF 培訓(xùn)
基于 FIFO 的寫/讀訓(xùn)練
MPC(多用途命令)
LVSTLE(低壓擺動端接邏輯擴展) IO
VDD1/VDD2/VDDQ : 1.8V/1.1V/0.6V
VSSQ 終端
無 DLL:CK 至 DQS 不同步
- 邊緣對齊數(shù)據(jù)輸出,數(shù)據(jù)輸入中心對齊的寫入訓(xùn)練- 刷新率:3.9us-刷新速率:3.9us
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
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答:大部分商品信息中都有標注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為多個可獨立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時保留有效數(shù)據(jù)。型號:AS9F38G08SA-25BI…AS9F34G08SA-25BIN
型號:AS9F34G08SA-25BIN封裝:FBGA-63類型:NAND 閃存存儲器詳細描述:AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x …AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x 8存儲器接口:并聯(lián)寫周期時間 - 字,頁:25ns,700s訪問時間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為…AS6C1616C-45TINTR
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb(1M x 16 位)低功耗 CMOS SRAM,帶可切換 IO 選項(x16 或 x8)AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述:AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器,按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器,內(nèi)部有十六個存儲塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預(yù)取架構(gòu),可實現(xiàn)高速運行。AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格類型: SDRAM - DDR4 內(nèi)存大?。? Gbit 數(shù)據(jù)總線寬度:8 位 最高時鐘頻率: 1.6 GHz 封裝/外殼 FBGA-78 組織結(jié)構(gòu) 1 G x 8 電…電話咨詢:86-755-83294757
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