商品名稱:DRAM 存儲(chǔ)器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:FBGA-96
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
AS4C512M16D4-75BIN 是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,內(nèi)部結(jié)構(gòu)為 16 塊。
SpecificationsOf AS4C512M16D4-75BIN
內(nèi)存大小:64 Mbit
數(shù)據(jù)總線寬度:16 位
最大時(shí)鐘頻率:166 MHz
封裝/外殼:TSOPII-54
組織結(jié)構(gòu) 4 M x 16
訪問時(shí)間:5 毫微秒
電源電壓 - 最低 3 V
電源電壓 - 最大值:3.6 V
最低工作溫度:- 40 C
最高工作溫度 + 85 C
AS4C512M16D4-75BIN 的特性
1.2V 偽開漏接口
8n 預(yù)取架構(gòu)
內(nèi)部 VREFDQ 訓(xùn)練
可編程數(shù)據(jù)選通前置信號(hào)
數(shù)據(jù)選通前置信號(hào)訓(xùn)練
命令/地址延遲 (CAL)
多用途寄存器讀取和寫入功能
寫入和讀取電平
自動(dòng)刷新和自刷新模式
低功耗自動(dòng)自我刷新 (LPASR)
通過 DRAM 內(nèi)置 TS 實(shí)現(xiàn)自動(dòng)自我刷新 (ASR)
細(xì)粒度刷新
自刷新中止
最大省電
輸出驅(qū)動(dòng)器校準(zhǔn)
可配置的片上終端 (ODT)
數(shù)據(jù)總線的數(shù)據(jù)總線反轉(zhuǎn) (DBI)
命令/地址 (CA) 奇偶校驗(yàn)
數(shù)據(jù)總線寫循環(huán)冗余校驗(yàn) (CRC)
每個(gè) DRAM 尋址能力
連接性測試(x16)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SAMSUNG
FBGA-200
2000
用于移動(dòng)設(shè)備的 64Gbit LPDDR4X 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM) IC
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲(chǔ)器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號(hào)處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
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AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲(chǔ)器類型:非易失存儲(chǔ)器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲(chǔ)容量:4Gb存儲(chǔ)器組織:512M x 8存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)寫周期時(shí)間 - 字,頁:25ns,700s訪問時(shí)間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲(chǔ)器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲(chǔ)市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲(chǔ)器分為…AS6C1616C-45TINTR
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