AS4C512M16MD4V-053BIN 是 8Gb 512M x 16 位 DRAM LPDDR4X 內存。
AS4C512M16MD4V-053BIN 的特點
雙數據速率架構;每個時鐘周期兩次數據傳輸
雙向數據選通(DQS_t、DQS_c),與數據一起發(fā)送/接收,用于接收器捕獲數據
差分時鐘輸入(CK_t 和 CK_c)
差分數據選通(DQS_t 和 DQS_c)
命令和地址輸入正 CK 邊沿;數據和數據掩碼參考 DQS 的兩個邊沿
每個通道有 8 個內部組
DMI 引腳:正常寫入和讀取操作時為 DBI(數據總線反轉),DBI 關閉時為屏蔽寫入的數據屏蔽 (DM) DBI 開啟時為屏蔽寫入的 DQ 計數 #1
突發(fā)長度:16、32(OTF)
突發(fā)類型 順序
讀寫延遲 : 請參閱 LPDDR4x AC 時序表
每個突發(fā)訪問的自動預充電選項
可配置的驅動強度
刷新和自刷新模式
部分陣列自刷新和溫度補償自刷新
寫入均衡
CA 校準
內部 VREF 和 VREF 培訓
基于 FIFO 的寫/讀訓練
MPC(多用途命令)
LVSTLE(低壓擺動端接邏輯擴展) IO
VDD1/VDD2/VDDQ : 1.8V/1.1V/0.6V
VSSQ 終端
無 DLL:CK 至 DQS 不同步
- 邊緣對齊數據輸出,數據輸入中心對齊的寫入訓練- 刷新率:3.9us-刷新速率:3.9us
型號
品牌
封裝
數量
描述
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Alliance Memory 是一家生產傳統(tǒng)和新技術存儲器產品的全球化無晶圓廠制造商,其產品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產品。他們的產品組合包括與主流數字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
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