商品名稱:CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器
品牌:Alliance
年份:24+
封裝:TSOP-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
AS6C1616C-45TINTR - 16Mb(1M x 16 位)低功耗 CMOS SRAM,帶可切換 IO 選項(x16 或 x8)
AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品描述:
AS6C1616C-45TINTR 是一款 16,777,216 位低功耗 CMOS 靜態(tài)隨機存取存儲器,按 16 位 1,048,576 字或 8 位 2,097,152 字組織。它采用高性能、高可靠性 CMOS 技術(shù)制造。其待機電流在工作溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。AS6C1616C 專為低功耗應(yīng)用而設(shè)計,尤其適合電池備份型非易失性存儲器應(yīng)用。AS6C1616C 采用 2.7V ~ 3.6V 單電源供電,所有輸入和輸出均與 TTL 完全兼容。
AS6C1616C-45TINTR - 產(chǎn)品特性:
快速存取時間:45ns
低功耗:
- 工作電流:12mA(典型值)
- 待機電流:5μA(標準值)
單路 2.7V ~ 3.6V 電源
所有輸入和輸出均兼容 TTL
完全靜態(tài)工作
三態(tài)輸出
數(shù)據(jù)保持電壓:1.5V(最小值)
封裝:48 引腳 12mm x 20mm TSOP I
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Alliance Memory 是一家生產(chǎn)傳統(tǒng)和新技術(shù)存儲器產(chǎn)品的全球化無晶圓廠制造商,其產(chǎn)品用于直接替代 Micron、Samsung、ISSI、Cypress、Nanya、Hynix 和其他公司的 SRAM、DRAM 和 NOR FLASH IC 產(chǎn)品。他們的產(chǎn)品組合包括與主流數(shù)字信號處理器 (DSP) 和微控制器配套使用的全系…
AS9F38G08SA-25BIN
AS9F38G08SA-25BIN 是 8Gbit SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。其 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為多個可獨立擦除的塊,因此可以在擦除舊數(shù)據(jù)的同時保留有效數(shù)據(jù)。型號:AS9F38G08SA-25BI…AS9F34G08SA-25BIN
型號:AS9F34G08SA-25BIN封裝:FBGA-63類型:NAND 閃存存儲器詳細描述:AS9F34G08SA-25BIN - 4Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F34G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x …AS9F32G08SA-25BIN
AS9F32G08SA-25BIN - 2Gbit、x8 位、3.3V SLC 并聯(lián) NAND 閃存存儲器AS9F32G08SA-25BIN - 產(chǎn)品屬性:存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術(shù):FLASH - NAND(SLC)存儲容量:4Gb存儲器組織:512M x 8存儲器接口:并聯(lián)寫周期時間 - 字,頁:25ns,700s訪問時間:20 ns電壓…AS9F31G08SA-25BIN
AS9F31G08SA-25BIN - 1Gbit、x8 位、3.3V SLC 并行 NAND 閃存存儲器AS9F31G08SA-25BIN - 產(chǎn)品描述:AS9F31G08SA-25BIN 是 SLC 并行 NAND 閃存,采用 3.3V Vcc 電源供電,具有 x8 I/O 接口。它的 NAND 單元為固態(tài)大容量存儲市場提供了最具成本效益的解決方案。該存儲器分為…AS4C1G8D4A-62BCN
AS4C1G8D4A-62BCN 是一種高速動態(tài)隨機存取存儲器,內(nèi)部有十六個存儲塊。DDR4 SDRAM 采用 8n 預(yù)取架構(gòu),可實現(xiàn)高速運行。AS4C1G8D4A-62BCN 的規(guī)格類型: SDRAM - DDR4 內(nèi)存大小:1 Gbit 數(shù)據(jù)總線寬度:8 位 最高時鐘頻率: 1.6 GHz 封裝/外殼 FBGA-78 組織結(jié)構(gòu) 1 G x 8 電…ASFC32G31T3-51BIN
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