器件:K4U8E3S4AD-GUCL
封裝:FBGA-200
類型:8Gbit LPDDR4X DRAM 存儲器 IC
描述:K4U8E3S4AD-GUCL - 用于移動設備的 8Gbit LPDDR4X 動態(tài)隨機存儲器 (DRAM) IC
K4U8E3S4AD-GUCL - 產品規(guī)格
密度:8Gbit
組織:x32
速度:4266 Mbps
電壓:1.8V / 1.1V / 0.6V
溫度:-40°C ~ 125°C
三星用于移動設備的超快 LPDDR4X 創(chuàng)新技術推動了全球移動 DRAM 市場的發(fā)展,帶來了更智能、更創(chuàng)新的可能性。
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M393A8G40BB4-CWE
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K3LKBKB0BM-MGCP - 低功耗 DRAM 存儲器 IC描述K3LKBKB0BM-MGCP 是一款 32 Gb 低功耗動態(tài)隨機存取存儲器。LPDDR5 為移動和汽車設備帶來了全新的速度。5G、人工智能、先進的攝像頭技術和顯示選項的用戶體驗更上一層樓,未來的用戶體驗在今天成為現實。規(guī)格密度:32 Gb組織:…電話咨詢:86-755-83294757
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