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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

BSM450D12P4G102

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 447A（Tc） 1.45kW（Tc） 底座安裝 模塊

封裝：MODULE
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300D12P4G101

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 291A（Tc） 925W（Tc） 底座安裝 模塊

封裝：MODULE
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300D12P3E005

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 300A（Tc） 1260W（Tc） 底座安裝 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600C12P3G201

產(chǎn)品說明：底座安裝 N 通道 1200 V 600A（Tc） 2460W（Tc） 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM120D12P2C005

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 120A（Tc） 780W 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM180D12P2C101

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 204A（Tc） 1130W 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300C12P3E201

產(chǎn)品說明：底座安裝 N 通道 1200 V 300A（Tc） 1360W（Tc） 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P3G001

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 600A（Tc） 2450W（Tc） 底座安裝 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM400D12P3G002

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV） 400A（Tc） 1570W（Tc） 底座安裝 模塊

封裝：Module
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT80TS65DGC13

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 70 A 234 W 通孔 TO-247G

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT00TS65DGC13

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247G

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV80TS65GC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 78 A 234 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV60TK65GVC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 33 A 76 W 通孔 TO-3PFM

封裝：TO-3PFM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTVX2TS65DGC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 111 A 319 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTH60TS65GC13

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 58 A 194 W 通孔 TO-247

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS80TS65DHRC11

產(chǎn)品說明：IGBT 溝槽型場截止 650 V 73 A 272 W 通孔 TO-247N

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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