商品名稱：BSM300D12P4G101
數據手冊：
BSM300D12P4G101.pdf
品牌：ROHM
年份：23+
封裝：MODULE
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
BSM300D12P4G101 是由 SiC-UMOSFET 組成的半橋模塊，適用于電機驅動、變頻器、轉換器、光伏、風力發(fā)電、感應加熱設備。
產品屬性
技術： 碳化硅（SiC）
配置： 2 個 N 溝道
FET 功能： 標準
漏源電壓（Vdss）： 1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 291A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.8V @ 145.6mA
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 30000pF @ 10V
功率 - 最大值： 925W（Tc）
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類型： 底座安裝
封裝/外殼： 模塊
供應商器件封裝： 模塊
特點：
低浪涌、低開關損耗。
可實現高速開關。
降低溫度依賴性。
型號
品牌
封裝
數量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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羅姆(ROHM)株式會社是全球知名的半導體廠商之一，總部所在地設在日本京都市，ROHM設計和制造半導體、集成電路以及其它電子元器件。這些元件在快速變化、不斷增長的無線、計算機、汽車和消費電子市場均占有一席之地。 一些最具創(chuàng)新意義的設備和裝置都采用了 ROHM 產品。
RGA80TSX2HRC11
RGA80TSX2HRC11 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TSX2HRC11 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TSX2EHRC11
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RGA80TRX2HRC15
RGA80TRX2HRC15 是一種 IGBT 晶體管，具有低開關損耗和低傳導損耗的特點。它是汽車應用中電動壓縮機和高壓加熱器以及工業(yè)應用中變頻器的理想選擇。RGA80TRX2HRC15 的特點通過 AEC-Q101 認證短路耐受時間 10μs集電極-發(fā)射極飽和電壓低內置快速軟恢復 FRD無鉛鍍鉛；符合 R…
RGA80TRX2EHRC15
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BM3G007MUV-LBE2
BM3G007MUV-LBE2是一款Nano Cap? 650V GaN HEMT功率級IC，非常適用于要求高功率密度和高效率的各種電子系統(tǒng)。該器件集成了650V增強型GaN HEMT和硅驅動器。特性：Nano CAP?集成輸出可選5V LDO為工業(yè)應用提供長期支持產品寬工作范圍，適用于VDD 引腳電壓IN引腳電壓的寬工…
SCT3160KWATL
SCT3160KWATL是一款1200V, 17A SiC(碳化硅)溝槽MOSFET，采用小型TO-263-7封裝。其特點包括耐高壓、低導通電阻和快速開關速度。SCT3160KWATL的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術：SiC漏源電壓（Vdss）：1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：17A（Tj）驅動電壓（最大 Rds On，最小…電話咨詢：86-755-83294757
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