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操作
產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 1200 V 100 A 398 W 通孔 PG-TO247-4-U02
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三相反相器 1200 V 150 A 20 mW 底座安裝 AG-ECONO3B
封裝:Module產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 全橋 1700 V 230 A 底座安裝 模塊
封裝:Module產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 1200 V 109 A 549 W 通孔 PG-TO247-4-U02
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 100 A 429 W 通孔 TO-247-4
封裝:TO-247-4產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 3300 V 450 A 1000000 W 底座安裝 AG-XHP100-6
封裝:Module產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 55 A 188 W 表面貼裝型 PG-TO263-3
封裝:TO263-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 600V 8A 36.6W 表面貼裝型 PG-TO252-3
封裝:TO-252-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 2 個(gè)獨(dú)立式 650 V 40 A 20 mW 底座安裝 模塊
封裝:Module產(chǎn)品說(shuō)明:IHM-B 帶有溝槽/熔斷器 IGBT4 和發(fā)射器控制 4 二極管的模塊
封裝:Module產(chǎn)品說(shuō)明:閃存 - NOR (SLC) 存儲(chǔ)器 IC 256Mbit SPI - 四輸入/輸出,QPI 80 MHz 6 ns
封裝:33-WLCSP產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 晶體管 INDUSTRY 14
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:PrimePACK?2模塊采用第四代溝槽柵/場(chǎng)終止IGBT4和發(fā)射極控制二極管
封裝:Module產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 600 V 34 A 111 W 通孔 PG-TO247-3-AI
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 全橋 650 V 300 A 20 mW 底座安裝 模塊
封裝:Module產(chǎn)品說(shuō)明:IGBT 溝槽型場(chǎng)截止 650 V 80 A 148 W 通孔 PG-HSIP247-3-2
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