商品名稱:IXXX140N65B4H1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IXXX140N65B4H1.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-247
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IXXX140N65B4H1溝槽型 650V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。這些絕緣柵極雙極晶體管具有低熱阻、低能耗、快速開(kāi)關(guān)、低拖尾電流和高電流密度等特性。該器件在開(kāi)關(guān)和短路條件下具有出色的耐用性。
器件規(guī)格:
IGBT 類型:-
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):340 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):840 A
不同 Vge、Ic 時(shí) Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,120A
功率 - 最大值:1200 W
開(kāi)關(guān)能量:5.75mJ(開(kāi)),2.67mJ(關(guān))
輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷:250 nC
25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:54ns/270ns
測(cè)試條件:400V,100A,4.7 歐姆,15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):105 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3 變式
供應(yīng)商器件封裝:PLUS247?-3
基本產(chǎn)品編號(hào):IXXX140
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
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