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IXYN140N120A4溝槽型1200V XPT? GenX4? IGBT采用專有的XPT薄晶圓技術(shù)和最先進的第四代 (GenX4?) 溝槽型IGBT工藝研發(fā)而成。該絕緣柵極雙極晶體管具有低熱阻、低能耗、快速開關(guān)、低拖尾電流和高電流密度等特性。該器件在開關(guān)和短路條件下具有出色的耐用性。

該通孔IGBT還具有方形反向偏置安全工作區(qū) (RBSOA)，擊穿電壓高達1200V，因此非常適合用于無緩沖硬開關(guān)應用。

產(chǎn)品規(guī)格：

IGBT 類型：PT

配置：單路

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：1200 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：380 A

功率 - 最大值：1070 W

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.7V @ 15V，140A

電流 - 集電極截止（最大值）：25 μA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：8.3 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應商器件封裝：SOT-227B

基本產(chǎn)品編號：IXYN140

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