商品名稱：NTMTS0D7N04CTXG
數據手冊：
NTMTS0D7N04CTXG.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：8-DFNW
貨期：全新原裝
庫存數量：3000 件
NTMTS0D7N04CTXG器件是一款采用ON半導體的先進Power Trench工藝（結合屏蔽柵極技術）制造而成的40V N溝道功率MOSFET。該工藝經過優(yōu)化，可最大限度地降低導通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關性能。NTMTS0D7N04C具有420A連續(xù)漏極電流 (ID) 和0.67mΩ（最大值）低漏極-源極導通電阻 (RDS(on)）。
產品規(guī)格：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：65A（Ta），420A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.67 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：9230 pF @ 25 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：4.9W（Ta），205W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：8-DFNW（8.3x8.4）
封裝/外殼：8-PowerTDFN
基本產品編號：NTMTS0
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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AR0830CSSH11SMKA1-CP
AR0830CSSH11SMKA1-CP 屬于 Hyperlux LP 產品系列，是一款 1/2.9 英寸背面照度（BSI）堆疊式 CMOS 數字圖像傳感器，具有 3840 x 2160 有源像素陣列。這款先進的傳感器可在線性或增強動態(tài)范圍（eDR）模式下捕捉圖像，并采用卷簾快門讀取方式。AR0830 的結構設計旨在以極低…
AR0830CSSH11SMD20-RC
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AR0830CSSH35SMKA1-CP
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AR2020CSSM13SMD20-RC
AR2020CSSM13SMD20-RC 屬于 Hyperlux LP 產品，它是一款 1/1.8 英寸背照式 (BSI) 疊加 CMOS 數字圖像傳感器，具有 5120 x 3840 有源像素陣列。這種先進的傳感器可在線性或增強動態(tài)范圍（eDR）模式下捕捉圖像，并采用滾動快門讀出方式。AR2020CSSM13SMD20-RC 的特點在業(yè)內…
AR2020CSSC13SMD20-RC
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AR0246NPSC32SMKA1-CP
AR0246NPSC32SMKA1-CP 是一款堆疊式 1/4 英寸背照式 (BSI) CMOS 有源像素數字圖像傳感器，像素陣列為 1920 (H) x 1080 (V)。該傳感器具有增強的近紅外響應能力。它可在線性或高動態(tài)范圍模式下捕捉圖像，并具有滾動快門讀取功能，還包括復雜的相機功能，如分檔、窗口以及視…電話咨詢：86-755-83294757
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