STW65N045M9-4是一款650 V，39 mOhm典型值，54 A單N溝道MDmesh M9功率MOSFET，采用4引腳TO-247封裝。
說明：
該N溝道功率MOSFET基于創(chuàng)新超結MDmesh M9技術，該技術適用于單位面積導通電阻RDS(on)非常低的中/高電壓MOSFET?；诠璧腗9技術采用多漏制造工藝，增強了器件結構。在所有硅基快速開關超結功率MOSFET中，運用此工藝制造的產(chǎn)品具有較低的導通電阻并降低了柵極電荷值，特別適合需要超高功率密度和出色效率的應用。
STW65N045M9-4的規(guī)格：
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：54A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 28A， 10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：80 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4610 pF @ 400 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：312W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-247-4
封裝/外殼：TO-247-4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
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