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NTTFS5C460NLTAG適用于緊湊和高效設(shè)計的工業(yè)用功率 MOSFET，采用 3x3mm 扁平引線封裝，且具有較高的熱性能?？捎糜谠鰪姽鈱W檢測的可潤濕側(cè)翼選項。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET，符合生產(chǎn)件批準程序 (PPAP)，適用于汽車應用。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: WDFN-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 74 A

Rds On-漏源導通電阻: 4.8 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.2 V

Qg-柵極電荷: 11 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

系列: NTTFS5C460NL

配置: Single

下降時間: 4.4 ns

正向跨導 - 最小值: 72 S

上升時間: 97 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 17 ns

典型接通延遲時間: 9.2 ns

應用

反向電池保護

電源開關(guān)（高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋等）

開關(guān)電源

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