NVMYS021N06CLTWG適用于緊湊和高效設(shè)計的汽車用功率 MOSFET,采用 5x6mm LFPAK 封裝且具有較高的熱性能。通過 AEC-Q101 認證的 MOSFET,且符合生產(chǎn)件批準程序 (PPAP),適用于需要更高板級可靠性的汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LFPAK-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 27 A
Rds On-漏源導通電阻: 21 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 28 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
系列: NVMYS021N06CL
配置: Single
下降時間: 1.5 ns
正向跨導 - 最小值: 37 S
上升時間: 12 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 12 ns
典型接通延遲時間: 4 ns
應(yīng)用
反向電池保護
開關(guān)電源
電源開關(guān) - 高壓側(cè)驅(qū)動器、低壓側(cè)驅(qū)動器、H 橋
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨…
AR0830CSSH11SMKA1-CP
AR0830CSSH11SMKA1-CP 屬于 Hyperlux LP 產(chǎn)品系列,是一款 1/2.9 英寸背面照度(BSI)堆疊式 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,具有 3840 x 2160 有源像素陣列。這款先進的傳感器可在線性或增強動態(tài)范圍(eDR)模式下捕捉圖像,并采用卷簾快門讀取方式。AR0830 的結(jié)構(gòu)設(shè)計旨在以極低…AR0830CSSH11SMD20-RC
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AR2020CSSM13SMD20-RC 屬于 Hyperlux LP 產(chǎn)品,它是一款 1/1.8 英寸背照式 (BSI) 疊加 CMOS 數(shù)字圖像傳感器,具有 5120 x 3840 有源像素陣列。這種先進的傳感器可在線性或增強動態(tài)范圍(eDR)模式下捕捉圖像,并采用滾動快門讀出方式。AR2020CSSM13SMD20-RC 的特點在業(yè)內(nèi)…AR2020CSSC13SMD20-RC
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AR0246NPSC32SMKA1-CP 是一款堆疊式 1/4 英寸背照式 (BSI) CMOS 有源像素數(shù)字圖像傳感器,像素陣列為 1920 (H) x 1080 (V)。該傳感器具有增強的近紅外響應(yīng)能力。它可在線性或高動態(tài)范圍模式下捕捉圖像,并具有滾動快門讀取功能,還包括復雜的相機功能,如分檔、窗口以及視…電話咨詢:86-755-83294757
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