商品名稱：IXYN100N65B3D1
品牌：IXYS
年份：24+
封裝：SOT-227-4
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IXYN100N65B3D1 - 650V XPT?、GenX3? IGBT 晶體管模塊，帶二極管
產(chǎn)品特性
miniBLOC，帶氮化鋁隔離
2500V~ 隔離電壓
反并聯(lián)二極管
針對 10-30kHz 開關(guān)進行了優(yōu)化
方形 RBSOA
短路能力
高電流處理能力
優(yōu)勢
高功率密度
柵極驅(qū)動要求低
應(yīng)用
電源逆變器
不間斷電源
電機驅(qū)動器
SMPS
PFC 電路
電池充電器
電焊機
燈鎮(zhèn)流器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS（中文名： 艾賽斯）總部位于美國硅谷，1983年成立，主營：MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域，產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率，涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品： 功率 MOSFET 模塊 類型： 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù)： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 最低工作溫度：- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量：8 克特點高速開關(guān)，低電容阻斷電壓高，RDS（導…
IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類型： HiperFET HiperFET 技術(shù)： SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V 安裝方式：螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼：SOT-227-4 最低工作溫度：- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時間：1…
IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT，器件采用專有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進的IGBT工藝研發(fā)，具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù)，這些高壓IGBT可用于并聯(lián)，相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟高效。 因此，這可減少相關(guān)的柵…
IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT，器件采用HDMOS IGBT工藝進行PT（打穿）生產(chǎn)。600V GenX3?針對高電流應(yīng)用進行了優(yōu)化，這類應(yīng)用需要高達200 kHz的軟開關(guān)頻率和40 kHz的硬開關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗的打穿（PT）技術(shù)，該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…
IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT，采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具MOSFET和IGBT的優(yōu)勢。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝，BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇，因為飽和電壓和本征二極管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…
MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級功率 MOSFET 晶體管，帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計- 雪崩額定值- 高性能動態(tài)快恢復二極管高性能動態(tài)快速恢復二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強了動態(tài)性能，適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話咨詢：86-755-83294757
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