商品名稱：BSC076N04ND
數(shù)據(jù)手冊：
BSC076N04ND.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerVDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
BSC076N04ND 是 40V OptiMOS? 功率晶體管。
產(chǎn)品屬性
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
配置 2 N-通道（雙）
漏源電壓（Vdss） 40V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) 20A（Tc）
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值） 7.6 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4V @ 30μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） 38nC @ 10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 2950pF @ 20V
功率 - 最大值 2.3W（Ta），65W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型 表面貼裝型
封裝/外殼 8-PowerVDFN
供應(yīng)商器件封裝 PG-TDSON-8-4
優(yōu)點
雙超級 SO8，實現(xiàn)高功率密度（占用空間最?。?/span>
優(yōu)異的耐熱性
工作溫度高達 175°C
Qgd/Qgs<0.8 實現(xiàn)了高擊穿抗擾度
無鉛電鍍，符合 RoHS 規(guī)范
潛在應(yīng)用
SMPS
感應(yīng)式無線充電
負(fù)載開關(guān)
電池管理系統(tǒng)
低壓驅(qū)動器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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