商品名稱：IQE004NE1LM7SC
數據手冊：
IQE004NE1LM7SC.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：PG-WHSON-8
貨期：全新原裝
庫存數量：1000 件
IQE004NE1LM7SC是業(yè)內首個15V溝槽式功率MOSFET產品組合的一部分。與OptiMOS?5 25 V相比，擊穿電壓降低，RDS（on）和FOMQG改善約30%，FOMQOSS改善約40%。雙側冷卻功能增強了熱管理能力，將高功率SMPS應用的功率密度和效率提升到新的水平。
規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：15 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58A (Ta), 379A (Tc)
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，7V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.45mOhm @ 30A, 7V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 432μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：55 nC @ 7 V
Vgs（最大值）：±7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6240 pF @ 7.5 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），89W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：PG-WHSON-8
封裝/外殼：8-PowerWDFN
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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