商品名稱：IPP65R110CFD7
數(shù)據(jù)手冊：
IPP65R110CFD7.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TO-220-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPP65R110CFD7 是英飛凌的 650V CoolMOS? CFD7 超級結(jié) MOSFET 晶體管，采用 TO-220 封裝。它非常適合服務(wù)器、電信、太陽能和電動汽車充電站等工業(yè)應(yīng)用中的諧振拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，與同類產(chǎn)品相比，能顯著提高效率。
特性概述
超快體二極管和極低 Qrr
650V 擊穿電壓
與同類產(chǎn)品相比，開關(guān)損耗顯著降低
最低的 RDS(on) 溫度相關(guān)性
優(yōu)點
出色的硬換向堅固性
為提高總線電壓的設(shè)計提供額外的安全裕度
提高功率密度
在工業(yè) SMPS 應(yīng)用中具有出色的輕載效率
提高了工業(yè) SMPS 應(yīng)用中的滿載效率
與市場上的其他產(chǎn)品相比具有價格競爭力
潛在應(yīng)用
電動汽車快速充電
服務(wù)器電源
太陽能系統(tǒng)解決方案
電信基礎(chǔ)設(shè)施
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
汽車 N 溝道增強(qiáng)模式邏輯電平 40 V、最大 0.75 mΩ、373 A STripFET F8 功率 MOSFET
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
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IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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