商品名稱:IQDH45N04LM6CG
數(shù)據(jù)手冊(cè):IQDH45N04LM6CG.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TTFN-9
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
功率 MOSFET IQDH45N04LM6CG 40 V 采用 PQFN 5x6 mm2 降源封裝。該器件具有 0.45 mΩ 的超低 RDS(ON),并具有出色的熱性能,便于管理功率損耗。這使得系統(tǒng)能效更高、功率密度更大,適用于各種終端應(yīng)用,如電池供電工具、SMPS、電信電源和高性能計(jì)算(如超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心和人工智能服務(wù)器群)中的中間總線轉(zhuǎn)換。
特點(diǎn)
? N 通道、對(duì)數(shù)電平
? 極低的導(dǎo)通電阻 RDS(導(dǎo)通)
? 超強(qiáng)耐熱性
? 通過(guò) 100% 老化測(cè)試
? 無(wú)鉛鍍層;符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
? 無(wú)鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
IQDH45N04LM6CG產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TTFN-9
晶體管極性: N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V
Id-連續(xù)漏極電流: 637 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 450 uOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V
Qg-柵極電荷: 62 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
系列: OptiMOS 6
配置: Dual
下降時(shí)間: 14 ns
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 6 ns
工廠包裝數(shù)量: 5000
子類別: MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 49 ns
典型接通延遲時(shí)間: 9 ns
潛在應(yīng)用
服務(wù)器
數(shù)據(jù)通信
高性能計(jì)算
電信
SMPS
折疊
驅(qū)動(dòng)器
電池供電工具
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…PASCO2V15
XENSIV? PASCO2V15是一款真正的 CO2 傳感器,它將近紅外技術(shù)與英飛凌的高信噪比 MEMS 麥克風(fēng)相結(jié)合,以極小的外形實(shí)現(xiàn)了最先進(jìn)的精度。CY8C4025LQS-S413
CY8C4025LQS-S413是一款采用Arm Cortex -M0+ CPU的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器,同時(shí)符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。PSoC 4000S產(chǎn)品系列是PSoC 4平臺(tái)架構(gòu)的一員。它由帶標(biāo)準(zhǔn)通信和時(shí)序外設(shè)的微控制器、具有同類最佳性能的電容式觸摸檢測(cè)系統(tǒng)(CAPSENSE)、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開(kāi)關(guān)電容模擬…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類型:汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…電話咨詢:86-755-83294757
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