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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):IXFN70N120SK
數(shù)據(jù)手冊(cè):IXFN70N120SK.pdf
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:SOT-227B
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IXFN70N120SK具有高速開(kāi)關(guān),低電容,高阻斷電壓,低 RDS(on),易于并聯(lián),驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單,采用抗閂鎖真正的開(kāi)爾文源連接,隔離電壓為3000 V~,采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)外形,符合 RoHS 規(guī)范和環(huán)氧樹(shù)脂符合 UL 94V-0 標(biāo)準(zhǔn),底板采用氮化鋁隔離,先進(jìn)的功率循環(huán)。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):1200 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):68A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):20V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):34 毫歐 @ 50A,20V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 15mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):161 nC @ 20 V
Vgs(最大值):+20V,-5V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2790 pF @ 1000 V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:底座安裝
供應(yīng)商器件封裝:SOT-227B
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
應(yīng)用
● 太陽(yáng)能逆變器
● 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
● 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
● 開(kāi)關(guān)模式電源
● 不間斷電源
● 電池充電器
● 感應(yīng)加熱
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià),也可以通過(guò)電話(huà)以及郵箱咨詢(xún)。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國(guó)硅谷,1983年成立,主營(yíng):MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車(chē)、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
MCB20P1200LB-TUR
MCB20P1200LB-TUR 是 N 溝道 1200V SiC MOSFET 模塊。規(guī)格產(chǎn)品: 功率 MOSFET 模塊 類(lèi)型: 半橋模塊 半橋模塊 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 最低工作溫度:- 40 C 最高工作溫度 + 150 C 單位重量:8 克特點(diǎn)高速開(kāi)關(guān),低電容阻斷電壓高,RDS(導(dǎo)…IXFN50N120SIC
IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。規(guī)格類(lèi)型: HiperFET HiperFET 技術(shù): SiC 碳化硅 Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V 安裝方式:螺釘安裝 螺釘安裝 封裝/外殼:SOT-227-4 最低工作溫度:- 55 C 最高工作溫度 + 155 C 配置 單通道 下降時(shí)間:1…IXYH8N250CHV
IXYH8N250CHV是一款2500 V 29 A高壓系列IGBT,器件采用專(zhuān)有的XPT?薄晶圓技術(shù)和最先進(jìn)的IGBT工藝研發(fā),具有低熱阻、低尾電流、低能量損耗和快速切換等特點(diǎn)。憑借通態(tài)電壓的正溫度系數(shù),這些高壓IGBT可用于并聯(lián),相比串聯(lián)低電壓器件更加經(jīng)濟(jì)高效。 因此,這可減少相關(guān)的柵…IXGX320N60B3
IXGX320N60B3是一款600 V 500 A中頻IGBT,器件采用HDMOS IGBT工藝進(jìn)行PT(打穿)生產(chǎn)。600V GenX3?針對(duì)高電流應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,這類(lèi)應(yīng)用需要高達(dá)200 kHz的軟開(kāi)關(guān)頻率和40 kHz的硬開(kāi)關(guān)頻率。 這些器件采用了我們久經(jīng)考驗(yàn)的打穿(PT)技術(shù),該技術(shù)可提高浪涌電流性能、降低…IXBK55N300
IXBK55N300 是一款3 kV 130 A超高電壓系列IGBT,采用TO-264-3封裝。BiMOSFET兼具M(jìn)OSFET和IGBT的優(yōu)勢(shì)。 憑借非外延結(jié)構(gòu)和新的制造工藝,BiMOSFET大獲成功。這種高壓器件是并聯(lián)的理想選擇,因?yàn)轱柡碗妷汉捅菊鞫O管的正向壓降均具有正電壓溫度系數(shù)。功能與特色:“自由”本…MXB12R600DPHFC
MXB12R600DPHFC - 600V、160mΩ、18A X2 級(jí)功率 MOSFET 晶體管,帶 FRED 二極管主要特性 MOSFET- 低 RDS(ON) 和 QG- 快速開(kāi)關(guān)- 穩(wěn)健設(shè)計(jì)- 雪崩額定值- 高性能動(dòng)態(tài)快恢復(fù)二極管高性能動(dòng)態(tài)快速恢復(fù)二極管- 由串聯(lián)二極管組成- 增強(qiáng)了動(dòng)態(tài)性能,適用于高頻操作產(chǎn)品屬性隔離電…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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