商品名稱：PSMN2R5-60PLQ
數(shù)據(jù)手冊：
PSMN2R5-60PLQ.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：TO-220-3
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
PSMN2R5-60PLQ采用TrenchMOS技術的SOT78邏輯電平N溝道MOSFET。產(chǎn)品設計和制造已針對電池供電電動工具的使用進行了優(yōu)化。
規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：150A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：2.6 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：223 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：349W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-220AB
封裝/外殼：TO-220-3
基本產(chǎn)品編號：PSMN2R5
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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