商品名稱：PSMNR51-25YLHX
數(shù)據(jù)手冊：
PSMNR51-25YLHX.pdf
品牌：Nexperia
年份：23+
封裝：LFPAK56
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
PSMNR51-25YLHX 25V邏輯電平柵極驅(qū)動N溝道增強型MOSFET，采用LFPAK56E封裝，針對低RDSON、低IDSS泄漏（即使在過熱時）、高效率和高電流進行了優(yōu)化。額定電流為380 A，針對直流負載開關(guān)和熱插拔應(yīng)用進行了優(yōu)化。
規(guī)格
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：25 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：380A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.57 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 2mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6990 pF @ 12 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：333W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：LFPAK56; Power-SO8
封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK
基本產(chǎn)品編號：PSMNR51
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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PSC2065JJ
PSC2065JJ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-263-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065JJ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
PSC2065LQ
PSC2065LQ SiC 肖特基二極管用于超高性能、低損耗、高效率的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該 SiC 肖特基二極管封裝在 TO-247-2 通孔功率塑料封裝中，具有不受溫度影響的電容關(guān)斷、零恢復開關(guān)特性以及出色的性能。PSC2065LQ 的特點零正向和反向恢復降低系統(tǒng)成本與溫度無關(guān)的快速平穩(wěn)開關(guān)…
GAN039-650NTBZ
GAN039-650NTBZ是一款650V、33 mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212i倒裝封裝，具有低電感、低開關(guān)損耗和高可靠性。GAN039-650NTBZ的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：58.5A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，…
GAN039-650NBBHP
GAN039-650NBBHP是一款650 V、33mΩ氮化鎵(GaN) FET，采用CCPAK1212封裝。該器件采用無引線接合，可優(yōu)化散熱和電氣性能，提供共源共柵配置，無需復雜的驅(qū)動器和控制。GAN039-650NBBHP的規(guī)格：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650 V25C 時電…
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GANE3R9-150QBAZ
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