商品名稱：IPTC019N10NM5
數(shù)據(jù)手冊：
IPTC019N10NM5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：16-PowerSOP 模塊
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPTC019N10NM5 是 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 的一部分，采用 TOLT 封裝：TO 引線頂部側(cè)冷式封裝，具有卓越的散熱性能。 這種創(chuàng)新型封裝與 OptiMOS? 5 技術(shù)的關(guān)鍵特性相結(jié)合，可提供 100 V 的同類最佳產(chǎn)品，以及大于 300 A 的高額定電流，適用于高功率密度設(shè)計。
特性概述
低 RDS(on)
高額定電流 >300 A
頂部冷卻
負(fù)極隔離
無錫外露焊盤
優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率，延長電池壽命
高功率密度
優(yōu)異的散熱性能
節(jié)省冷卻系統(tǒng)
散熱器熱阻最小
潛在應(yīng)用
電動工具
輕型電動汽車
電池管理系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道邏輯電平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT 5x6 封裝
ST
PowerFLAT-4
1000
N 溝道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET? F7 功率 MOSFET，采用 PowerFLAT? 5x6 封裝
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
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IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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