商品名稱：ISC017N04NM5
數(shù)據(jù)手冊：
ISC017N04NM5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：8-PowerTDFN
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
ISC017N04NM5 采用 SuperSO8 封裝的正常電平 OptiMOS? 5 低壓 MOSFET 40V。
特征描述
正常電平柵極閾值（典型值為 2.8V）
結(jié)溫為 175°C (Tj)
優(yōu)化的電荷比 (QGD/QGS <0.8)，以獲得 dv/dt 抗擾度
低柵極電荷
出色的耐熱性
強(qiáng)大的線性模式/較高的 SOA（安全工作區(qū)）額定值
優(yōu)勢
降低開關(guān)損耗，提高系統(tǒng)效率和功率密度
適用于高頻操作，支持高級電機(jī)控制技術(shù)如磁場定向控制 (FOC)、直接轉(zhuǎn)矩控制 (DTC)以及塊換向法。
可耐受浪涌、鎖定轉(zhuǎn)子及制動(dòng)情況下的高浪涌電流
產(chǎn)品應(yīng)用
電池供電應(yīng)用
電動(dòng)工具
電池管理
低壓驅(qū)動(dòng)器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…
PASCO2V15
XENSIV? PASCO2V15是一款真正的 CO2 傳感器，它將近紅外技術(shù)與英飛凌的高信噪比 MEMS 麥克風(fēng)相結(jié)合，以極小的外形實(shí)現(xiàn)了最先進(jìn)的精度。
CY8C4025LQS-S413
CY8C4025LQS-S413是一款采用Arm Cortex -M0+ CPU的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器，同時(shí)符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。PSoC 4000S產(chǎn)品系列是PSoC 4平臺架構(gòu)的一員。它由帶標(biāo)準(zhǔn)通信和時(shí)序外設(shè)的微控制器、具有同類最佳性能的電容式觸摸檢測系統(tǒng)(CAPSENSE)、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開關(guān)電容模擬…
IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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