商品名稱：ISC015N04NM5
數據手冊：
ISC015N04NM5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：TDSON-8
貨期：全新原裝
庫存數量：10000 件
ISC015N04NM5 采用 SuperSO8 封裝的正常電平 OptiMOS? 5 低壓 MOSFET 40V。
產品屬性
FET 類型： N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 33A（Ta），206A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 7V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 1.5 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.4V @ 60μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 67 nC @ 10 V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4800 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）： 3W（Ta），115W（Tc）
工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型： 表面貼裝型
供應商器件封裝： PG-TDSON-8 FL
封裝/外殼： 8-PowerTDFN
應用
電池供電應用
電動工具
電池管理
低壓驅動器
型號
品牌
封裝
數量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領先的 RDS(on)
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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