商品名稱(chēng):IPD60R210PFD7S
數(shù)據(jù)手冊(cè):IPD60R210PFD7S.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-252
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:15000 件
600V CoolMOS? PFD7 超級(jí)結(jié) MOSFET (IPD60R210PFD7S)是面向消費(fèi)應(yīng)用的 CoolMOS? 7 產(chǎn)品的補(bǔ)充。IPD60R210PFD7S 采用 TO-252 DPAK 封裝,RDS(on) 值為 210mOhm,開(kāi)關(guān)損耗低。產(chǎn)品集成了一個(gè)快速體二極管,確保器件堅(jiān)固耐用??焖袤w二極管和英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的 SMD 封裝減少了 PCB 空間,從而降低了客戶(hù)的材料清單 (BOM)。
特征描述
極低的 FOM RDS(on) x Eoss
集成式堅(jiān)固快速體二極管
高達(dá) 2kV 的 ESD 保護(hù)
廣泛的 RDS(on) 值范圍
出色的換向堅(jiān)固性
低 EMI
廣泛的封裝組合
優(yōu)勢(shì)
開(kāi)關(guān)損耗最小
與最新的 CoolMOS? 充電器技術(shù)相比,功率密度有所提高
與用于低功耗驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的 CoolMOS? CE 技術(shù)相比,效率更高,熱性能更好
降低 BOM 成本,易于制造
穩(wěn)健性和可靠性
易于選擇合適的部件進(jìn)行設(shè)計(jì)微調(diào)
潛在應(yīng)用
消費(fèi)者
高密度充電器和適配器
USB PD
冰箱
風(fēng)扇
水泵
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A(Ta),276A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…PASCO2V15
XENSIV? PASCO2V15是一款真正的 CO2 傳感器,它將近紅外技術(shù)與英飛凌的高信噪比 MEMS 麥克風(fēng)相結(jié)合,以極小的外形實(shí)現(xiàn)了最先進(jìn)的精度。CY8C4025LQS-S413
CY8C4025LQS-S413是一款采用Arm Cortex -M0+ CPU的可編程嵌入式系統(tǒng)控制器,同時(shí)符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)。PSoC 4000S產(chǎn)品系列是PSoC 4平臺(tái)架構(gòu)的一員。它由帶標(biāo)準(zhǔn)通信和時(shí)序外設(shè)的微控制器、具有同類(lèi)最佳性能的電容式觸摸檢測(cè)系統(tǒng)(CAPSENSE)、可編程通用連續(xù)時(shí)間和開(kāi)關(guān)電容模擬…IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N040D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N024D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D:40V,汽車(chē) MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號(hào):IAUCN04S7N019D封裝:PG-TDSON-8類(lèi)型:汽車(chē) MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格:OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強(qiáng)模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴(kuò)展鑒定增強(qiáng)型電氣測(cè)試穩(wěn)健…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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