商品名稱：IPT063N15N5
數(shù)據(jù)手冊：
IPT063N15N5.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：PG-HSOF-8
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
英飛凌無引腳 TO 封裝型 IPT063N15N5 OptiMOS? 功率 MOSFET 針對大電流應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化，如叉車、輕型電動車 (LEV)、電動工具、負(fù)載點 (POL)、電信和電熔絲。此外，封裝尺寸縮小了 60%，設(shè)計更為緊湊。相較于 D2PAK 7 引腳封裝，無引腳 TO 封裝尺寸大幅減少了 30%。同時封裝高度也降低了 50%，在機架式或刀片服務(wù)器等空間狹小的應(yīng)用中表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
特征描述
極高的電流能力：122 A
改善焊接區(qū)域質(zhì)量，有效抑制電遷移效應(yīng)
極低的封裝寄生效應(yīng)
無引腳封裝
優(yōu)勢
更少的并聯(lián)和散熱需要
高系統(tǒng)可靠性
低 EMI
支持極為緊湊的設(shè)計
潛在應(yīng)用
叉車
輕型電動車 (LEV)
電動工具
負(fù)載點 (POL)
電信
電熔絲
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
N 通道 100 V 26A（Ta），276A（Tc） 3W（Ta），333W（Tc） PG-WHTFN-9-U02
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)。
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 80 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有極低的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHTFN-9
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
INFINEON
PG-WHSON-8
1680
OptiMOS? 功率 MOSFET 60 V，采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)
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IAUCN04S7N040D
IAUCN04S7N040D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N040D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N040D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N024D
IAUCN04S7N024D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N024D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N024D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…
IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D：40V，汽車 MOSFET 晶體管 - OptiMOS? 7 功率晶體管型號：IAUCN04S7N019D封裝：PG-TDSON-8類型：汽車 MOSFET 晶體管IAUCN04S7N019D - 產(chǎn)品規(guī)格：OptiMOS? 7 40V 功率 MOSFETN 溝道 MOSFET增強模式 - 正常電平超出 AEC-Q101 的擴展鑒定增強型電氣測試穩(wěn)健…電話咨詢：86-755-83294757
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