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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IPD30N10S3L34

產(chǎn)品說明:英飛凌科技 N 溝道 OptiMOS? 功率 MOSFET

封裝:PG-TO252-3-11
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF650R17IE4PB60

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 - 晶閘管/可控硅

封裝:模塊
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1ED3461MU12M

產(chǎn)品說明:6A 柵極驅(qū)動器 磁耦合 1 通道 PG-DSO-16-28

封裝:DSO-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA75R090M1H

產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,性能可靠且經(jīng)濟(jì)高效

封裝:PG-TO247-4-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1ED3461MC12M

產(chǎn)品說明:6A 柵極驅(qū)動器 磁耦合 5700Vrms 1 通道 PG-DSO-16-28

封裝:DSO-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
2ED21064S06J

產(chǎn)品說明:650 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器,集成自舉二極管

封裝:DSO-14
10起
12900
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA75R027M1H

產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝,性能可靠且經(jīng)濟(jì)高效

封裝:PG-TO247-4-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
2EDR9258X

產(chǎn)品說明:快速、堅固、雙通道電隔離柵極驅(qū)動器IC

封裝:DSO-14
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDB9275F

產(chǎn)品說明:高端 柵極驅(qū)動器 IC 反相 PG-DSO-8

封裝:DSO-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R020M2H

產(chǎn)品說明:CoolSiC? MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 3 引腳封裝,性能可靠且經(jīng)濟(jì)高效

封裝:PG-TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLF11251EP

產(chǎn)品說明:2.5 半橋,帶集成驅(qū)動器和電平轉(zhuǎn)換器

封裝:TSDSO-14
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDS5663H

產(chǎn)品說明:柵極驅(qū)動器 磁耦合 5700Vrms 1 通道 PG-DSO-16-30

封裝:DSO-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUCN08S7N013

產(chǎn)品說明:OptiMOS? 7 40 V 功率 MOS 技術(shù),采用 5x6 mm2 SS08 無引線封裝,具有最高的質(zhì)量水平和堅固性,適用于汽車應(yīng)用

封裝:PG-TDSON-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDN7116U

產(chǎn)品說明:適用于GaN SG HEMT 和 MOSFET 的 200 V 高邊 TDI 柵極驅(qū)動器 IC

封裝:TSNP-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMBG65R009M1H

產(chǎn)品說明:碳化硅 MOSFET 晶體管

封裝:TO-263-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDN9550B

產(chǎn)品說明:高壓側(cè)和低壓側(cè) 柵極驅(qū)動器 IC 反相,非反相 PG-SOT23-6

封裝:SOT-23-6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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