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產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器 650 V 50 A 20 mW 通孔 27-DIP
封裝:27-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器 1200 V 25 A 81 W 底座安裝 44-PIM(71x37.4)
封裝:44-PIM產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 雙,共源 1118 V 73 A 194 W 底座安裝 27-PIM(71x37.4)
封裝:27-PIM產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 2 個(gè)獨(dú)立式 650 V 33 A 160 W 通孔 APMCD-B16
封裝:12-SSIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 全橋 650 V 48 A 86 W 底座安裝 56-PIM(93x47)
封裝:56-PIM產(chǎn)品說明:功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 5 A 29-PowerSSIP 模塊,21 引線,成形引線
封裝:SIP29產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場截止 三級(jí)反相器 1000 V 303 A 276 W 底座安裝 42-PIM/Q2PACK(93x47)
封裝:42-PIM產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封裝:26-DIP產(chǎn)品說明:功率MOSFET,單N溝道,40 V,0.67 mOhms,420 A
封裝:DFNW-8產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
封裝:TO-247-3產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 40V 15A(Ta),60A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面貼裝型 12-WQFN(3.3x3.3)
封裝:WQFN-12電話咨詢:86-755-83294757
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