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深圳市明佳達(dá)電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

TD340N22KOF

產(chǎn)品說(shuō)明：采用壓力觸點(diǎn)技術(shù)的 2200V 50mm 晶閘管/二極管模塊

封裝：模塊
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDQ60R020CFD7

產(chǎn)品說(shuō)明：600V CoolMOS? CFD7 功率晶體管，PG-HDSOP-22

封裝：PG-HDSOP-22
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IM12B10CC1

產(chǎn)品說(shuō)明：CIPOS? Maxi 1200V 10A 三相智能電源模塊

封裝：DIP-24
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD40E120D7

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V、40 A 獨(dú)立二極管，采用 TO-247-2 2 針?lè)庋b

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD30E120D7

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-247-2 2引腳封裝的1200 V和30 A二極管

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD140E120D7

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-247-2 2引腳封裝的1200 V和140 A二極管

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD100E120D7

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-247-2 2引腳封裝的1200 V和100 A二極管

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS28MR12W1M1HB11

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V CoolSiC? MOSFET六單元模塊

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD75E65E7

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-247-2 2引腳封裝的650 V硅功率二極管

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDYH10G200C5

產(chǎn)品說(shuō)明：CoolSiC? 肖特基二極管 2000 V，采用 TO-247PLUS-4 HCC 封裝

封裝：PG-TO247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD20E65E7

產(chǎn)品說(shuō)明：650 V 硅功率二極管，采用 TO-247-2 2 引腳封裝

封裝：TO-247-2
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IDWD150E65E7

產(chǎn)品說(shuō)明：采用TO-247-2 2引腳封裝的650 V硅功率二極管

封裝：TO-247-2
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS13MR12W2M1HC55

產(chǎn)品說(shuō)明：1200 V CoolSiC? MOSFET SixPACK三相橋模塊

封裝：模塊
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SP4900111

產(chǎn)品說(shuō)明：壓力傳感器14.5PSI ~ 133.43PSI（100kPa ~ 920kPa） 32 b 14-BSSOP（0.220"，5.60mm 寬）

封裝：PG-DSOSP-14
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF450R12KE7E

產(chǎn)品說(shuō)明：1200V、450A 共發(fā)射極IGBT模塊

封裝：模塊
10起
1500
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FF8MR12W1M1HS4PB11

產(chǎn)品說(shuō)明：碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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