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ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC功率MOSFET是汽車和開關模式電源的理想選擇。SiC功率MOSFET可用于提高開關頻率，減少所需的電容、電抗器和其它元件的體積。AEC-Q101 SiC功率MOSFET在各種驅(qū)動系統(tǒng)（如汽車中的逆變器和DC-DC轉(zhuǎn)換器）中的尺寸和重量都有出色的減少。

產(chǎn)品屬性

制造商:ROHM Semiconductor

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術:SiC

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:72 A

Rds On-漏源導通電阻:30 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 4 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.7 V

Qg-柵極電荷:131 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:339 W

通道模式:Enhancement

資格:AEC-Q101

系列:SCT3x

配置:Single

下降時間:29 ns

正向跨導 - 最小值:10.8 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:42 ns

晶體管類型:1 N-Channel

典型關閉延遲時間:61 ns

典型接通延遲時間:24 ns

零件號別名:SCT3030KLHR

單位重量:6 g

應用

汽車

開關模式電源

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