商品名稱:碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:TOSHIBA
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
TW015Z65C是一款100A、650V第三代碳化硅MOSFET,具有高電壓、更快開關(guān)和更低的導(dǎo)通電阻。該MOSFET設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用,例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。
TW015Z65C(參數(shù))
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):100A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):22 毫歐 @ 50A,18V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):5V @ 11.7mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):128 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+25V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):4850 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):342W(Tc)
工作溫度:175°C
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-4L(X)
封裝/外殼:TO-247-4
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間,具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
TOSHIBA(東芝),是日本最大的半導(dǎo)體制造商、第二大綜合電機(jī)制造商,隸屬于三井集團(tuán)。東芝原名東京芝浦電氣株式會社,1939年由株式會社芝浦制作所和東京電氣株式會社合并而成;從1875年開創(chuàng)至今,已經(jīng)走過了140年的漫長歷程。2018年,東芝將其筆記本電腦業(yè)務(wù)賣給了夏普。…
TW140Z120C
TW140Z120C是一款采用TO-247-4封裝形式的20A、1200V第三代碳化硅MOSFET,設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用,例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW140Z120C的規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)…TW060Z120C
TW060Z120C 是一款采用TO-247-4封裝形式的36A、1200V第三代碳化硅MOSFET。規(guī)格FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):36A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):82 毫歐 @ 18A,1…TW045Z120C
TW045Z120C —— 40A、1200V第三代碳化硅MOSFETFET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):40A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):18V不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):62 毫歐 @ 20A,18V不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)…TW015Z120C
TW015Z120C是一款100A、1200V第三代碳化硅MOSFET器件,設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用,例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW015Z120C(參數(shù))FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):1200 V25C 時電流…TW027Z65C
TW027Z65C器件是一款58A、650V第三代碳化硅MOSFET,具有高電壓、更快開關(guān)和更低的導(dǎo)通電阻。該MOSFET設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用,例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW027Z65C(參數(shù))FET 類型:N 通道…TW107Z65C
TW107Z65C器件是一款20A、650V第三代碳化硅MOSFET,設(shè)計用于大功率工業(yè)應(yīng)用,例如400V和800V交流輸入交流-直流電源、光伏(PV) 逆變器以及用于不間斷電源 (UPS) 的雙向直流-直流轉(zhuǎn)換器。TW107Z65C(參數(shù))FET 類型:N 通道技術(shù):SiC漏源電壓(Vdss):650 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: