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產(chǎn)品分類

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AI 加速器

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商品型號:IMBG65R083M1HXTMA1

商品名稱:IMBG65R083M1HXTMA1

數(shù)據(jù)手冊:IMBG65R083M1HXTMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-8

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:5000

數(shù)量:
在線詢價

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMBG65R083M1HXTMA1
封裝
TO-263-8
描述
N-通道650V 28A(Tc) 126W(Tc) 表面貼裝型

產(chǎn)品描述

650V 晶體管 IMBG65R083M1HXTMA1 碳化硅 MOSFET 單管 TO-263-8


IMBG65R083M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型: N-溝道

技術(shù): SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓(Vdss): 650 V

電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°C: 28A (Tc)

驅(qū)動電壓(最大Rds On,最小Rds On): 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 111mOhm @ 11.2A, 18V

Vgs(th)(最大)@ Id: 5.7V @ 3.3mA

柵極電荷(Qg)(最大值)@ Vgs: 19 nC @ 18 V

Vgs(最大): +23V,-5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds: 624 pF @ 400 V

功率耗散(最大): 126W (Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型: 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝: PG-TO263-7-12

封裝/外殼:TO-263-8,D2Pak(7引線+焊片),TO-263CA


IMBG65R083M1HXTMA1的特點

低Qrr和Qoss

低開關(guān)損耗

換向穩(wěn)健的快速體二極管

先進的溝槽技術(shù),具有出色的柵極氧化物可靠性

XT互連技術(shù),具有卓越的熱性能

增強的雪崩能力

SMD封裝,可直接集成到PCB上

用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳


IMBG65R083M1HXTMA1是碳化硅MOSFET單管,采用緊湊的7引腳SMD封裝,旨在提高系統(tǒng)性能,減小尺寸并提高可靠性。


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