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IQDH29NE2LM5SC：25V，OptiMOS? 功率 MOSFET - N通道功率 MOSFET 晶體管，PG-WHSON-8

概述：

IQDH29NE2LM5SC - OptiMOS? 功率 MOSFET 25V，采用 PQFN 5x6 下源中心柵 DSC 封裝，具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。該器件具有業(yè)內(nèi)最低的 0.29 mOhm RDS(on)，并具有出色的熱性能，便于管理功率損耗。中心柵極基底面針對(duì)并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。這就為各種終端應(yīng)用提供了更高的系統(tǒng)效率和功率密度。

IQDH29NE2LM5SC - 產(chǎn)品規(guī)格：

系列：OptiMOS? 5

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：75A（Ta），789A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：0.29 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.448mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：110 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：17000 pF @ 12 V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），278W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-WHSON-8-U02

封裝/外殼：8-PowerWDFN

• 1.平臺(tái)上看到的庫(kù)存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大，目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià)，也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。

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  答：可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。